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定安泡沫板橡塑板专用胶 Intel计划复活内存业务: ZAM单芯片512GB 功耗比HBM降低50

发布日期:2026-02-14 11:40点击次数:57

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在AI基础设施建设热潮带动DRAM需求激增,全球内存供应链瓶颈持续凸显的背景下定安泡沫板橡塑板专用胶,Intel正计划重返阔别40年的DRAM内存市场。

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据悉,Intel将与软银旗下子公司Saimemory达成度作,联开发名为ZAM(Z-angle memory,Z角内存)的下代内存新技术,其单芯片容量可达512GB,功耗较当前主流的HBM内存降低40至50,有望重塑AI时代全球内存市场的竞争格局。

当前,全球AI大模型训练、大规模数据中心运等场景,动力需求呈指数攀升,速内存已成为AI硬件体系的核心支撑。

ZAM内存技术的核心竞争力源于其创新的架构设计。不同于传统内存的垂直布线模式,该技术采用交错互连拓扑结构,以对角线“Z字形”布线优化芯片堆叠布局,搭配铜-铜混键技术实现层间融,终形成类似单片芯片的体化硅块结构。

同时,ZAM技术采用电容设计,通过Intel成熟的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)技术实现与AI芯片的速连接,保温护角专用胶既简化了制造工艺流程,又能有提升存储密度、降低芯片热阻。

相较于当前AI域主流的HBM内存,ZAM技术的优势十分突出。其单芯片容量可达512GB,大幅越当前主流HBM产品。功耗降低40-50,可解决AI数据中心能耗企的行业痛点。而Z形互连设计能简化制造流程,为后续规模化量产奠定坚实基础。

值得提的是,这并非Intel次涉足DRAM域。早年间,Intel曾是DRAM市场的重要参与者,但受日本厂商激烈竞争冲击,市场份额持续下滑,终于1985年退出该赛道。

如今,AI产业的爆发为内存技术带来了全新发展机遇,Intel凭借自身在封装、芯片堆叠域的厚技术积累,计划凭借ZAM技术重获内存市场话语权。

不过,其终能否成功突围,关键仍在于能否说服NVIDIA等行业军企业采用该技术,破现有市场格局。

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