三星电子在 Semicon Taiwan 2026 展会上正式发布下代内存战略" CUBE "，旨在通过 3D 架构应对人工智能工作负载对内存系统日益增长的需求，提升容量、带宽和能源率。

该战略核心在于向垂直集成内存结构转型。三星电子内存产品规划团队负责人崔昌锡指出，通过垂直扩展而非增加主板占地，可突破印刷电路板面积限制，有提升内存容量。同时，优化逻辑电路与内存在 3D 结构中的排列，以及缩短芯片间连接距离，将构建起"垂直速公路"安徽家具封边胶厂，显著降低处理延迟并提升数据传输带宽。

在能面，3D 技术的终目标是降低移动单个数据比特所需的能量，以应对 AI 系统功耗增加及散热挑战。

路线图延伸至未来世代安徽家具封边胶厂

三星将带宽内存（HBM）路线图延伸至未来世代。目前开发的八代 HBM（HBM5），目标能为 HBM4E 的两倍，每瓦特能提升 20，热阻降低 20。进步的 zHBM 研发中，目标能达 HBM4E 的八倍，每瓦特能提升三倍，热阻降低 75 至 90。

在 NAND 闪存域，保温护角专用胶三星出为大语言模型海量容量需求设计的 zNAND-O 解决案。该技术数据访问速度优于传统 NAND，目标实现 DRAM 位密度的 10 倍，以及 NAND 读取带宽和能的七倍安徽家具封边胶厂，计划于 2028 年进行样品测试。

主两大内存市场

市场数据显示，三星正主全球主要内存市场。二季度，三星在全球 DRAM 收入份额中占比 39，先于 SK 海力士（26）和美光科技（25）。在 NAND 闪存市场，受 AI 服务器对企业 SSD 需求拉动，三星以 29.3 的份额跑，动其二季度 NAND 收入增长。

三星表示，将利用技术和制造规模优势，满足传统内存市场以及 HBM 和企业 SSD 等价值 AI 产品的日益增长的需求。

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