在人工智能迅猛发展的今天五指山橡塑专用胶，传统芯片架构正遭遇“功耗墙”与“存储墙”的双重围堵——计与存储分离致海量数据搬运，能耗过大、率受限。如何让芯片既快速又省电？北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队给出项突破答案：他们成功研制出全球个晶圆薄、均匀的新型铋基二维铁电氧化物，并基于此构建出工作电压低（0.8伏）、耐久（1.5×1012次循环）的速铁电晶体管，其综能越当前工业铪基铁电体系。相关成果日前在线发表于学术期刊《科学》。

彭海琳介绍，以来，铁电材料因其可逆化与非易失存储特，被视为通存体、突破冯·诺依曼架构（在冯·诺依曼架构下，计和存储是相互分离的）瓶颈的关键。然而，当芯片工艺逼近亚5纳米（小于5纳米）节点，传统铁电薄膜面临均匀差、界面缺陷多、厚度减薄后铁电骤降等难题。研究团队创新依托其自主研发的迁移率铋基二维半体Bi2O2Se（硒氧化铋），次实现了原子平整的二维铁电自然氧化物Bi2SeO5（硒酸铋）及异质结构晶圆均匀制备。这种新型铁电氧化物不仅具有达24的介电常数和过600℃的温结构稳定，在单晶胞厚度（约1纳米）下仍保持优异铁电，摆脱了传统铁电材料的尺寸限制。

在此基础上，研究团队还制备出能铁电晶体管阵列，泡沫板橡塑板专用胶能先其他存储技术1至2个数量，并展现出32个稳定多存储态与10年数据保持能力。尤为亮眼的是，在0.8伏低电压和20纳秒速写入条件下，器件经受住1.5万亿次循环考验，可靠远云端AI计的严苛标准。进步，团队利用该器件构建出可动态重构的存内逻辑电路——在低于1伏的常规CMOS电压下，同器件既能执行逻辑运，又能切换为非易失存储，真正实现“器两用”，为未来自适应智能芯片开辟了新范式。

审稿人评价，该工作“解决了二维铁电材料晶圆集成难题，彰显出显著的应用潜力”，并“对铁电材料和器件域产生远影响，为铁电二维电子学发展开了大门”。

“这项原创成果为发展下代能、低功耗芯片技术提供了全新的材料平台与集成路径。”彭海琳说。

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