忻州家具封边胶 AI需求支撑下, 2028年存储芯片产能释放会重演崩盘吗?

上次存储行业出现类似“盛宴或将散场”的争议忻州家具封边胶，是2017年。当时DRAM价格在年内翻倍，三巨头利润创历史新，市场同样在讨论“周期还能持续多久”。年后，智能手机销量停滞、前期扩产产能集中释放，DRAM价格断崖式下跌，行业利润次年普遍腰斩。

那轮上行周期，从启动到崩盘，满满不到三年。

这是条被反复验证过的存储铁律：新产能从规划到规模交付约需两年，只要利润足够丰厚，新产能终将跑步进场，而需求旦在此时刻同时放缓，整个行业就会在短时间内从短缺翻转为过剩。2018年如此，2023年如此，历史上每轮周期都如此。

现在，指向2028年的新增产能已经排进了日程。长鑫存储计划在2028年底冲击月产50万片DRAM的目标，上海临港HBM项目已于2026年3月启动建设，HBM封测厂预计2026年底投产。

三星电子平泽园区五座HBM属晶圆厂预计2028年或晚投产，龙仁产业园座晶圆厂目标2029年量产。SK海力士美国印安纳封装基地将于2028年10月完成洁净室建设，2029年下半年启动量产。美光日本HBM工厂目标2028年左右批量出货。

盛预计2026年至2028年全球DRAM供需缺口将依次为5.0、5.9和3.9，缺口收窄的趋势已经写在数据里。

这也是为什么“2028年见顶”的论调在市场上持续发酵，并且在今年8月引发了轮美股存储板块的剧烈回调。盛大幅上调了2026至2028年全球半体设备支出预期，其中2028年DRAM设备支出同比增速预计达35，三星和SK海力士的资本开支预期分别被上调22和19。

摩根大通发布的全球存储市场主题研报封面忻州家具封边胶

当扩产加速和缺口收窄出现在同张时间表上，投资者的经自然会绷紧。

但这次，有三件事和2018年不样。

2018年的崩盘是场双向反转，而这次，需求端拿到的是张长的订单2018年存储周期的崩塌，是需求端智能手机销量停滞、数据中心库存企，与供给端前期大举扩产产能集中释放的双向反转。需求疲软和产能峰恰好撞在同个时间点，价格崩盘没有任何缓冲。

本轮周期的需求结构已经重构。过去，智能手机和PC等消费电子需求占存储需求的60以上，对宏观经济波动度敏感。现在，消费端占比已降至不足30，核心需求来自大型科技公司的AI资本开支，而且这些需求已经被长期供货协议锁定。

SK海力士与英伟达等核心客户的长期协议覆盖至2030年，其2026年全部DRAM和NAND产能已被客户预订空。三星HBM产能留给中小科技企业的份额不足10。

SK集团会长崔泰源在2026年3月公开表示，人工智能存储器的供应限制可能会持续到2030年，晶圆短缺以及短期内大幅提产量存在实际障碍。

SK海力士CEO郭鲁正7月进步表态，2027年会迎来存储行业有史以来严峻的供应缺口，即便公司持续加大扩产投入，未来十年市场需求规模依旧会持续过现有产能上限。

这不是市场情绪，而是同锁定的刚需求。2027年，三星、SK海力士、美光三巨头已基本完成全年DRAM与HBM产能分配谈判，多数客户终拿到的配额仅为其初请求量的60至70。崔泰源在8月的采访中直白地描述：“所有的客户都在要求接近原来需求两倍的供货量。

这是争夺记忆芯片的战争忻州家具封边胶。”

产能纪律比2018年克制，但2028年仍有风险窗口2018年那轮崩盘的个重要背景，是三厂商在利润峰时同时大举通用扩产，产能集中在同时间窗口释放。

经历过2023年全行业亏损后，海外三大厂商的行为模式已经发生明显变化：资本开支优先投向HBM、端DDR等附加值产品线，主动收缩传统存储产能，不再盲目通用扩产。

但产能纪律的，并不意味着产能周期就此消失。新产能从规划到规模化交付仍需约两年时间，2026年前后启动的新增产能，PVC管道管件粘结胶释放期大多落在2028年左右。

长鑫存储2028年底冲击月产50万片的目标，加上三星、SK海力士、美光在2028至2029年密集投产的新产能，供给端的压力将在那个时间窗口集中释放。

这里真正的变量，不是“会不会有产能”，而是“这些产能流向哪里”。HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上，且HBM堆叠工艺复杂、量产良率偏低，同片晶圆能产出的HBM芯片数量远少于普通内存。

如果AI需求持续、HBM继续吃掉大部分新增晶圆产能，传统DRAM的供给并不会因为产能总数增加而大幅。但反过来，如果AI资本开支在那个节点出现阶段收缩，被端需求吸收的产能向通用市场回流，叠加新产能集中落地，局面就会变得和2018年有本质上的相似之处。

历史提醒我们：这次不会全品类崩盘，但分化会非常剧烈2018年的周期收尾是全品类普跌，HBM还没成气候，消费电子需求崩，全行业没有缓冲地带。这轮，即使需求端出现波动，崩盘也不会是全品类的。端HBM维持紧缺、中低端存储率先波动的结构分化，几乎是确定的剧本。

SK海力士CEO郭鲁正8月28日表态，即便未来市场出现放缓，需求也仅会是增速趋缓，而非大幅下降，对2030年以后的市场前景并不担忧。瑞银预测，至少在2028年二季度前，全球DRAM行业都将面临结构供应不足，2027年需求同比增长36.2，将远19.3的供应同比增长。

盛认为2026至2028年缺口虽在收窄，但2028年仍存在3.9的供需缺口，真正的产能释放拐点将在2028年到来。

但有条底线不能被忽略：AI资本开支不是限增长的。英伟达新财报给出了2028财年约70的营收增长指引，同时披露在手订单已过2万亿美元，客户提供的需求预测实际指向“明年增长翻倍”。

集邦咨询预测2027年全球科技巨头AI基建资本开支将达1.383万亿美元，其中近70流向DRAM与NAND存储芯片。这些数字目前处在速扩张区间，但任何资本开支周期都有斜率变化的那天——当增速从翻倍回落到两位数，市场的估值逻辑就会发生根本变化。

目前，SK集团会长崔泰源、SK海力士CEO郭鲁正、瑞银、盛、摩根大通、美银均明确否定了“2028年周期见顶”的判断，核心论据致指向AI需求仍处于指数增长早期，结构供应缺口将延续至2030年。

但8月美股存储板块的剧烈回调本身说明，市场对这个问题的定价并非单向的。

历史不会重演，但结构规律往往会。2018年，智能手机需求见顶和产能释放同时发生，全行业闪崩。2028年，如果AI资本开支增速放缓叠加大陆和韩国的HBM新产能集中落地，存储行业将迎来轮剧烈的结构分化，而不是崩盘。

端HBM维持紧缺，消费和中低端存储率先承压——这是历史规律和当前数据共同指向的路径。至于那个分化有多剧烈、持续多久，取决于AI技术迭代的速度和产能释放的节奏，这两件事目前没有同时向好的确定。相关词条:管道保温施工     塑料挤出设备     预应力钢绞线    玻璃棉厂家    保温护角专用胶

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