美东时间周五（7月10日）晚间，SK海力士席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）向外界预计海东泡沫板胶，2027年将成为存储行业历史上供应紧张的年。

　　“现在客户纷纷前来SK海力士寻求长期供货协议。需求持续增长，而我们的产能却存在限制。尽管我们正尽大努力扩充产能，但即使到2030年以后，客户需求仍可能于公司的供应能力。”他说。

　　不过，曾与韩国存储厂商有过接触的国内产投人士向证券时报记者表示，除了自身发展，目前海外存储大厂管同时在关注存储厂商的扩产进展，国内“两存”（长鑫存储和长江存储）或将成为未来存储市场长期大的变量。

　　较韩股溢价约15

　　郭鲁正的上述观点是在SK海力士的美国存托凭证（ADR）上市之后发表的。

　　这韩国存储芯片厂商在7月10日迎来纳斯达克秀。按规定，当日SK海力士以“when-issued”（“预发行”）式开始交易，临时代码为SKHYV（预计7月13日交易转为正常，代码将变为SKHY）。市场表现面，该ADR日开盘价为170美元，较发行价149美元涨约14.1，盘中触及177美元，收盘报于168.01美元，涨12.76。据证券时报记者换，这较其周五韩股溢价约15（发行价已较韩股7月8日收盘价溢价约3）；对应市值达到1.22万亿美元。

　　SK海力士本次整体募资规模约为265亿美元，过阿里巴巴2014年创下的250亿美元募资纪录，成为外国企业在美国规模大的IPO，并且，认购倍数过七倍。据披露，IPO募集资金将主要用于：龙仁综体的Fab 1工厂和清州的P&T7封装工厂，购置光刻机等。

　　虽然IPO时点正值全球半体板块出现明显调整之际，美光科技、闪迪等在过去数周内跌幅过20，SK海力士在韩交所的股价亦自6月底至7月9日调整25，但公司本次ADR的额认购及纳斯达克日开盘即两位数大涨，似乎正在重燃投资者对AI内存主题的持续热情。

　　AJ Bell市场主管Dan Coatsworth认为海东泡沫板胶，SK海力士“此次美股发行的市场需求强于部分人的预期。这表明，存储芯片板块的上涨行情或许只是暂歇，而非已见顶”。

　　谈及未来计划，郭鲁正表示，美国仍是公司未来晶圆制造投资的几个候选地之，但选址须满足公司在电力、水资源及人才等面的标准。

　　“发行的目的之在于与AI客户建立紧密的作关系，并扩大AI人才的获取渠道。”他说。

　　SK集团会长崔泰源则表示，未来需求将呈指数增长，若公司能够获得足够的回报以吸引投资者，不排除进步增发美股的可能。

　　与此同时，这内存制造商正在考虑以新的式出售其技术，包括种“内存即服务”的概念。崔泰源透露，未来会建议客户租用存储资源而非直接购买芯片，以此解决AI相关的内存容量瓶颈。

　　机构预计HBM价格2027年实现翻倍

　　SK海力士是全球大HBM芯片制造商，HBM是种基于3D堆栈工艺的能动态随机存取存储器（DRAM），这类芯片是英伟达、AMD等公司GPU进行大规模数据处理的关键组件。AI基础设施支出的爆发式增长，动HBM芯片供不应求，价格大幅攀升，令存储芯片制造商成为华尔街炙手可热的投资标的之。

　　据Gartner预测，全球存储半体市场规模将从2025年的2160亿美元增长至2026年的6330亿美元，同比增长192.7，并以86.0的年复增长率从2025年增长至2027年的约7480亿美元。这增长预计主要得益于HBM域的快速增长，HBM是支撑人工智能计和存储需求的重要组成部分，同时DRAM和NAND产品的平均售价也大幅上涨。

　　该机构测，HBM收入预计将从2025年的330亿美元增长到2027年的860亿美元，年复增长率为60.5。价格面，7月10日，DigiTimes新报告援引业内人士观点称海东泡沫板胶，受AI力需求爆发、产能结构紧缺双重因素影响，HBM价格预计2027年实现翻倍。

　　“下代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，甚至。”行业消息人士称。据介绍，PVC管道管件粘结胶涨价核心源于两大生产原因：是HBM4工艺制造难度，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低；其次，生产HBM4所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线产能释放空间被大幅压缩。

　　当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。

　　从行业格局来看，Counterpoint Research数据显示，今年季度，SK海力士拿下了58的HBM市场份额，而美光和三星各占21。据IDC数据，SK海力士也是大的DRAM供应商，对应市场份额为29.1；二大NAND供应商，市场份额为18.5。

　　行业景气背景下，三公司的业绩亦集体爆表。其中，SK海力士2026财年季度营业收入为52.58万亿韩元，同比增加198；净利润为40.35万亿韩元，同比增加398。当季营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率约72，刷新其史上纪录。这盈利水平不仅于台积电同期58.1的营业利润率，也于英伟达2027财年财季（截至2026年4月26日）约65.6的GAAP营业利润率。

　　美光科技2026财年三财季（截至2026年5月28日）Non-GAAP净利润飙升至288.6亿美元，同比上涨约1224；当季毛利率攀升至84.9，创下公司自1978年成立以来的历史水平。公司管理层在上个月的电话会上曾表态，虽然其新增投资将主要用于HBM、DRAM以及封装产能建设，但目前法预测内存供应何时才能赶上不断增长的需求。这措辞与SK海力士的观点如出辙。

　　国内“两存”加快IPO步伐

　　不过，摩根士丹利则提示关注中长期风险，核心来自存储周期约束：多厂商同步扩产HBM，2028年后端存储产能集中释放；云厂商资本开支是否存在不及预期等。

　　近日，曾与韩国存储厂商有过接触的国内产业投资人士告诉证券时报记者，虽然全球存储市场由三星电子、SK海力士和美光科技主，但他们目前颇为关注的是存储厂商未来的扩产进展。

　　“近期苹果寻求获批采购长鑫存储（CXMT）的DRAM内存芯片的消息并非空穴来风。长期而言，国内‘两存’是这个市场大的变量，国内厂商在技术提升、扩产等面的速度和率均存在预期可能。”该投资人士向记者分析称。

　　从新IPO进展来看，7月9日，长鑫科技正式启动科创板IPO发行程序。公司新股网下申购日和网上申购日定于7月16日。公司此次计划募资295亿元，为2026年以来A股大IPO项目，募资计划投向：存储器晶圆制造量产线技术升改造项目、DRAM存储器技术升项目和动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

　　据了解，长鑫科技作为国产DRAM龙头，技术路线上公司采取“跳代研发”的赶策略，10年间完成了从代到四代工艺技术平台的量产跨越，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X全系列，广泛应用于消费电子、服务器、汽车电子、工业控制等域。根据Omdia的数据，按出货量和销售额统计，公司已成为、全球四的DRAM厂商，市场占有率7.67。

　　业绩预告显示，2026年上半年，公司预计实现营收1100亿元至1200亿元，同比增长612.53至677.31；归母净利润预计500亿元至570亿元，盈利增长势头强劲。

　　在人工智能需求驱动下，全球半体行业景气度持续上行，分析机构认为长鑫科技IPO有望动国内存储产业扩产与升新周期。SemiAnalysis甚至预测长鑫科技2028年全球市占率达17，对标海外大厂产能体量，后续扩产增量空间大。

　　除了长鑫科技外，长江存储已经启动上市辅，未来国产存储大厂将会师资本市场。 海量资讯、解读，尽在财经APP

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