存储芯片涨价潮仍在持续钦州橡塑专用胶。
研究机构DigiTimes在新发布的报告中指出,受AI(人工智能)需求激增、产能结构瓶颈影响,带宽内存(HBM)价格预计2027年实现翻倍。与此同时,SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-jung)表示,预计2027年将成为存储芯片行业供应短缺严重的年。
种种迹象表明,存储芯片行业的涨价潮正演烈。存储模组大厂威刚的董事长近日透露,2026年三季度,存储芯片继续涨价。
价格或将翻倍
当地时间7月10日,DigiTimes新报告援引业内人士观点称,受AI力需求爆发、产能结构紧缺双重因素影响,HBM价格预计2027年实现翻倍。
行业消息人士称,下代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元,甚至。
据介绍,涨价核心源于两大生产原因:面,HBM4工艺制造难度,生产周期长达4至6个月,初期良品率偏低;另面,生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍,现有产线产能释放空间被大幅压缩。
当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与AI客户签订为期三到五年的长期协议,锁定全球内存供应。
DigiTimes预判,2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽,中小厂商难以拿到供货份额。
与此同时,供应链有消息透露,2027年AI硬件将持续存在根本供货缺口。2026年底芯片厂商议价权将拉满,未提前签订长期供货协议的消费电子企业,或将遭遇严重内存断供危机。
今年钦州橡塑专用胶,部分供应商的DDR5利润率已突破80,迫使芯片制造商不得不要求的HBM定价,以证明从传统DRAM生产线转移的理。
紧缩供应、涨价叙事正在成为存储芯片板块的强大催化剂。
美东时间7月10日,韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证(ADR)在美股市场次亮相,创下历史纪录的265亿美元发行规模,其ADR价格大涨12,较韩股普通股股价存在显著溢价,显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲延续态势。
SK海力士席执行官郭鲁正表示,全球存储芯片行业正迈向史上严重的供应短缺,预计2027年将成为行业供应紧张的年。尽管公司正积扩充产能,但他预计,存储芯片需求仍将持续过公司的生产能力,泡沫板橡塑板专用胶并直延续到2030年以后。
存储模组大厂释放重磅信号
全球二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露,2026年三季度存储芯片继续涨价。
陈立白表示,2026年三季度,DRAM与NAND Flash价格将再度大幅上调,两大产品线涨势明确,存储产业的上升通道仍在加速。
陈立白透露,存储器原厂已通知三季度DRAM约价将上涨20至30,NAND Flash将调涨35至40;两大产品线价格均维持上升趋势,将持续助力威刚业绩表现。
陈立白称,当前三大存储原厂2026年大部分产能早已提前订满售出,不少客户已经开始洽谈2027年及长期的供货约。
威刚表示,随着AI力需求持续扩张,厂商分配给通用DRAM、消费固态硬盘NAND闪存的产能持续缩减,本就处于供给紧张阶段的存储市场供需矛盾将进步加剧。2027年内存、固态硬盘产品的供货紧缺问题或将进步恶化。
在此之前,多机构也发表报告预计2026年三季度存储芯片价格将继续上涨。
据TrendForce(集邦咨询)新发布的存储器价格调查报告,三季度整体DRAM格局持续度紧缺,但因消费应用需求下修及价格基数原因,约价涨幅收敛,预计将季增13—18。
NAND Flash面,集邦咨询认为,主要需求仍由AI理与大型数据中心建设支撑,但因约价格已达历史点,消费端客户在需求放缓的情况下,对价格承受力已达限,预计整体NAND Flash约价将季增10—15,涨价幅度较前几季明显缩减。
瑞银在7月发布的新报告中大幅上调存储芯片价格预期,称DRAM报价会在三季度上涨32(此前预期17)、四季度再涨18(此前预期12);NAND Flash报价预计会在三季度上涨30,四季度将再涨12。 【直播预告】
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