记者|陈鹏丽 牡丹江橡塑专用胶

　　编辑|金冥羽 陈俊杰 杜波校对|董兴生

　　这几天，国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头长鑫科技（SH688825）是海内外资本市场里存储芯片板块的大看点。

　　7月16日，长鑫科技开启科创板申购，发行价为8.66元/股，若额配售选择权全额行使，预计募集资金总额约为666亿元，成为今年A股大IPO（次公开募股）。综多机构给出的预期，公司上市后市值为2万亿元~3万亿元。

　　据披露，网上发行初步中签率为0.40995452。回拨机制启动后，网上发行终中签率为0.47141739。社交平台上，已有不少人晒出自己的中签信息。

　　IPO上市只是长鑫科技的个新起点。据长鑫科技招股书，本次IPO公司原计划募集资金总额295亿元，全部用于DRAM主业。Citrini Research的分析显示，若现有项目如期进，长鑫科技到2026年底，DRAM晶圆月产能将达到约35万片，直逼全球三大内存原厂之的美光。

　　7月17日，北京大道兴业投资创始人黄华艳接受《每日经济新闻》记者采访时表示，长鑫科技的上市，将有望重构全球DRAM竞争格局，破海外定价霸权，同时带动国内存储全产业链国产化提速。Counterpoint Research研究总监 MS Hwang 向记者直言，“未来几年，将是决定DRAM产业长期竞争力的关键阶段”。

　　7月16日，国产存储“双子星”的长江存储也传出了IPO提速的消息。接下来几年，中端存储芯片的国产化如何演化，我们什么时候有望追平三星、SK海力士这些韩国巨头？

　　长鑫上市：全球存储竞争格局有望重塑

　　长鑫科技IPO的钟声牡丹江橡塑专用胶，敲响在全球存储市场颇具戏剧的时刻。边是国内投资者踊跃参与新股申购；另边，海外市场存储芯片股遭遇剧烈震荡，股价集体回调。

　　据上海证券交易所7月16日晚披露数据，长鑫科技当天IPO网上发行有申购户数达到942.88万户，网上发行终中签率约为0.47，两项指标均刷新科创板的纪录。然而另边，受多重利空信号影响，海外芯片股集体重挫。7月16日早，韩国KOSPI指数开盘即下跌4.4，存储芯片股普跌。同日晚间美股开盘后，半体、存储、光通信概念股也集体重挫，闪迪度大跌9，SK海力士ADR度大跌8。

　　相关分析认为，海外存储股的震荡，主因在于大幅上涨后的“获利回吐”。不过摩根士丹利近日在下调三星电子和SK海力士的投资评时提到另种观点，内存厂商（长鑫科技）大额募资扩产DRAM、长江存储三期产线加速爬坡，产能释放速度远市场此前致预期。国产存储扩产将削弱三星、SK海力士、美光长期供给主地位，给全球存储定价与盈利周期带来持续不确定。

　　黄华艳向《每日经济新闻》记者分析称，长鑫科技的上市，对国内存储芯片产业的意义及影响主要体现在：重构全球DRAM竞争格局，破海外定价霸权；带动国内存储全产业链国产化提速；完善国产存储“双龙头”生态；加速端存储技术国产突破；资本层面树立硬科技标杆，吸引海量社会资本进入存储、半体制造赛道，完善国内存储产业投融资生态等。

　　从业绩表现来看，长鑫科技IPO踩准了AI（人工智能）驱动的“周期”。招股书显示，2023年至2025年间，公司还度面临亏损。然而，进入2026年，公司业绩迎来大幅增长。2026年季度，长鑫科技归母净利润247.62亿元，同比增长1688.3。公司还预计2026年上半年归母净利润将达到500亿至570亿元。

　　“存储厂商将是本轮存储景气周期中大的受益者。”Counterpoint Research研究总监MS Hwang7月17日接受记者采访时表示，随着全球供应逐步增加，以及价格对需求增长形成抑制作用，本轮行业景气周期将在2028年前后趋于稳定。不过，即使行业进入相对稳定阶段，整体市场收入仍将远于过去几年的水平，预计仍将维持此前数倍的规模。

　　据Omdia统计，按2025年四季度销售额计，长鑫科技的全球DRAM市场份额已增至7.67，稳居全球四、。

　　中端国产化“跃迁”在即

　　黄华艳告诉记者，长鑫科技的投资价值在于，它是我国唯具备DRAM完整IDM（垂直整器件制造，企业自主覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全链条）规模化量产能力的企业，万能胶厂家属于半体国产化的核心资产。“投资科技就是投资成长赛道，目前长鑫科技具有稀缺壁垒的成长价值。”

　　放眼全球DRAM市场牡丹江橡塑专用胶，三星电子、SK海力士和美光科技三厂商占据大部分市场份额。国内厂商里，长鑫科技正逐步崭露头角。不过，从三机构数据来看，长鑫科技的市场份额距离美光科技依然有较大的差距。CINNO Research资分析师菁告诉记者，长鑫目前渗透提升快的是手机（LPDDR5/5X）、PC（个人电脑）与服务器（DDR5）以及通用DRAM整体。

　　长鑫科技的招股书同样显示，公司LPDDR5、DDR5和LPDDR5X产品分别于2023年、2024年和2025年上半年量产，在中端市场的渗透率快速提。这其中个较重要的背景是，AI浪潮之下，海外三大厂把大量产能转向利润HBM（带宽内存），主动让出中端通用DRAM市场，这让长鑫科技吃到了大的份额红利。长鑫科技2026年爆发式增长的业绩也印证了这点。

　　据悉，去年11月IC China（半体博览会）上，长鑫次展示DDR5和LPDDR5X两大产品线的新产品，LPDDR5X 8533和9600已经量产，10667产品已经送样，产品规格已经追上世界梯队。目前公司正在持续将DDR4产能切换向DDR5，并积提升产能。

　　“我认为（国产化）跃迁是然的，中端存储确定跃迁将在2~3年内完成。”黄华艳在接受采访时表示。他认为，在海外大厂将大量产能转向利润HBM，主动让出中端通用DRAM市场的背景下，国内政企、云厂商、消费电子会强制国产化备货，预计到2028年，国内中端DRAM自给率有望从当前约8提升至25~30。

　　MS Hwang在接受采访时同样表示，未来几年将是决定DRAM产业长期竞争力的关键阶段。“受美国设备限制影响，DRAM厂商目前在2D制程升面基本受限于1a节点，因此，未来能否在VCT、键技术、3D DRAM以及HBM等新技术向取得突破，将成为行业发展的核心挑战。尽管突破难度大，但当前DRAM产业的实力正被低估，具备实现突破的潜力。”

　　差距与突围路径

　　尽管以长鑫科技为代表的国内存储厂商在过去几年实现了全球市场份额跨越式发展，与韩国三巨头的技术差距正在快速缩小。但在制程、HBM等端产品域，我国厂商与三星、SK海力士、美光等巨头仍存在较明显差距。国产存储的优势体现在消费中端市场，毛利AI存储难以分羹。

　　“（在端DRAM或HBM域）至少在2030年前，厂商很难追赶上韩国巨头。”MS Hwang在接受记者采访时给出了判断。他指出，韩国厂商目前仍在持续扩大HBM产能，并依靠其盈利能力持续加大研发投入，先优势预计将得以延续。

　　MS Hwang补充道：“不过，市场本身也是个重要变量。如果未来DRAM厂商能够生产满足国内市场需求的产品，而不是依赖，那么庞大的本土市场将形成稳定需求，这将显著改变整个产业竞争格局，并有助于缩小与先厂商之间的差距。”

　　大的挑战来自技术路线的切换和外部限制。菁向《每日经济新闻》记者指出，由于缺少EUV光刻机（紫外光刻机）且受到设备出口管制，长鑫科技在技术节点上落后水平约两代，产品的单位容量成本比三大厂明显偏，且难以突破HBM良率。

　　MS Hwang强调，存储厂商要实现端存储突破，需要吸取过去产业发展的经验，关注三个面。先，要确保不存在知识产权面的法律风险。这是参与全球竞争的基础，而不仅仅是立足市场的要求。其次，需要建立足够的市场规模，实现依靠自身EBITDA（息税折旧摊销前利润）支持资本开支（CAPEX）的能力。“我们认为，约15的市场份额是实现这目标的重要门槛。”后，真正的技术先往往来自创新，而不是简单追赶。论是上世纪90年代韩国在堆叠与沟槽技术路线的选择、三星的3D NAND，以及长江存储的Xtacking架构，都是通过加快技术创新实现突破，而非单纯追求短期投资回报。

　　长鑫科技的上市，是DRAM产业“十年磨剑”的成人礼，也是另场持久战的真正开端。 封面图片来源：视觉（资料图）

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