2026年HBM4将成为AI力存储的核心战场，SK海力士暂时以70的英伟达订单份额跑广东护角胶厂，但三星正凭借全产业链优势和技术创新发起反击，这场竞赛的胜负将重塑全球存储产业格局 。

（图片来源：SK海力士官网）

你是否在为AI军备竞赛中HBM的昂成本和供应紧缺而焦虑？你是否在纠结存储巨头们的技术路线差异将如何影响你的投资或采购决策？

现状拆解：HBM4订单分配与价格狂飙

当前，全球存储行业正经历由AI驱动的结构变革，带宽内存（HBM）已从利基市场跃升为兵争之地。HBM4作为下代AI力存储的核心，其订单分配情况直接预示着未来数年存储巨头的市场地位。

HBM4订单分配：SK海力士暂时跑

根据TrendForce和多券商的新数据，在英伟达（NVIDIA）下代AI平台Vera Rubin的HBM4供应争夺战中，SK海力士再次展现出其在HBM域的先发优势和良率壁垒。

SK海力士凭借其在HBM3/HBM3E时代积累的稳定供货能力和良率，赢得了英伟达的信任，拿下了近三分之二的HBM4订单，远此前市场预期的50 。这不仅巩固了SK海力士在AI存储域的霸主地位，也使其在2025年次在年度利润上越了三星电子 。

价格狂飙：HBM成为存储行业的“印钞机”

HBM的稀缺使其成为存储行业的“印钞机”。当前HBM3E的价格已远传统DRAM，而即将量产的HBM4价格是令人咋舌。

·HBM4价格预期：12层堆叠的HBM4产品预计价格将过600美元。

·DRAM价格联动：受HBM产能挤占和AI需求拉动，服务器DRAM价格在2026年季度预计将同比暴涨60至70。

关键现象：尽管SK海力士在HBM3E时代的产品定价出三星约30，但在HBM4的谈判中，三星成功争取到了与SK海力士的价格平价。这表明三星在HBM4的技术和市场地位上已具备与SK海力士正面竞争的实力，存储巨头之间的“火药味”已从技术蔓延至价格战。

02核心原因：技术壁垒与供应链博弈广东护角胶厂

致HBM4订单分配呈现“SK海力士大头，三星紧追不舍”局面的核心原因，可以归结为需求端的爆发、供给端的良率壁垒以及技术端的路线选择。

需求端：AI力对“带宽”的止境渴求

AI大模型和力中心的爆发是HBM需求激增的根本动力。新代AI芯片，如英伟达的Rubin和AMD的Instinct系列，对内存带宽的要求呈指数增长。HBM4的带宽将过2 TB/s，容量可达48GB，是满足未来万亿参数模型训练和理的“刚需” 。

·数据支撑：Goldman Sachs预测，2026年GPU对HBM的需求将同比增长23，而ASIC（用集成电路）对HBM的需求将激增80，AI将消耗全球20的DRAM晶圆产能 。

供给端：良率是核心壁垒，封装是瓶颈

HBM的制造难度，涉及DRAM晶圆制造、TSV（硅通孔）技术、微凸点（Micro Bump）连接和终的堆叠封装。TSV可以理解为在芯片上通的“垂直电梯”，实现上下层芯片的速连接。其中，良率是决定订单分配的核心因素。

·SK海力士的良率优势：SK海力士在HBM3/HBM3E时代通过稳定的量产良率赢得了英伟达的长期信任，这种信任壁垒是其在HBM4初期订单中占据优势的关键 。

·封装瓶颈：HBM的集成需要依赖CoWoS等2.5D/3D封装技术。CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）可以通俗理解为给AI芯片搭建个“底座”，让GPU和HBM等芯片紧密地并排或堆叠在起。目前全球封装产能依然紧缺，这限制了HBM的终出货量，也使得拥有稳定封装能力的厂商具竞争力。

技术端：三星的“弯道车”策略

面对SK海力士的先发优势，三星采取了激进的“全产业链”技术整策略，试图在HBM4时代实现“弯道车”。

·DRAM工艺先：三星计划在HBM4上采用六代（1c）10nmDRAM工艺，这比竞争对手先代，旨在实现的容量和能 。

·代工整优势：三星利用其强大的晶圆代工（Foundry）能力，将HBM4的逻辑核心（Logic Die）采用4nm制程制造，实现复杂的控制和的集成度 。这种“存储+代工”的垂直整能力是三星有的，pvc管道管件胶也是其未来大的竞争筹码。

03行业影响——重塑产业链与国产替代加速

三星与SK海力士的HBM4竞赛，不仅是两巨头之间的较量，是对全球存储产业链的次刻重塑，其影响传至每个市场主体。

对头部厂商：盈利与技术双重压力广东护角胶厂

·盈利提升：HBM的毛利率是巨头们利润增长的核心引擎。SK海力士在2025年利润越三星，正是得益于HBM的成功。

·技术迭代压力：HBM4将引入混键（Hybrid Bonding）等的堆叠技术，取代传统的微凸点连接，以实现的堆叠层数（16层）和小的间距。谁能率先掌握并实现混键的量产，谁就能在HBM4E甚至HBM5时代占据对优势。

对投资者/企业决策者：布局上游与国产主线

对于关注存储行业的投资者和企业决策者而言，HBM4竞赛带来的启示是：存储不再是周期行业，而是AI时代的力底座。

·投资机会：关注HBM产业链的上游环节。由于HBM制造对设备和材料要求，且封装产能紧缺，国产替代和设备升是确定的投资主线 。

·采购决策：尽管巨头在HBM4上竞争激烈，但供应链安全和成本控制仍是国内企业的核心考量。企业决策者应将目光投向国产HBM封测厂商，以降低对单供应链的依赖。

对整个产业链：国产替代进程加速

HBM的封装需求，为本土产业链提供了“弯道车”的机会。然而，须清醒地认识到，国产HBM与巨头之间仍存在显著的技术代差和良率鸿沟。

国产HBM的挑战与差距量化

国产厂商目前正处于从HBM2e向HBM3的过渡期，而巨头已在HBM4上展开激烈竞争。这种差距主要体现在DRAM晶圆的制程和层数堆叠的良率控制上。国产厂商的突破，多集中在相对成熟的封测（OSAT）环节，如长电科技、通富微电等，这为国内AI芯片提供了宝贵的本土供应链支持。

趋势研判：HBM4的确定与国产化机遇

未来3年，HBM4的核心趋势是：技术路线的融与国产化进程的加速。

确定趋势：混键将成为主流

技术演进：HBM4将是传统微凸点（Micro Bump）技术向混键（Hybrid Bonding）过渡的关键代。混键可以理解为种“芯片胶水”，它不再依赖微小的焊球连接，而是直接将上下两层芯片的金属表面紧密地“粘”在起，实现小的键间距（

依据：三星和SK海力士均已将混键技术列为HBM4E/HBM5的研发向。谁能率先解决混键的良率和成本问题，谁就能在下代AI芯片的订单中占据优势。

布局机会：聚焦“封测+设备”

国产封测：布局长电科技、通富微电等在2.5D/3D封装域有实际HBM配套能力的企业。HBM的封装环节技术壁垒，且是国内产业链相对成熟的环节，国产替代确定强。

上游设备：关注中微公司等在TSV刻蚀、硅通孔等HBM关键工艺设备上取得突破的国产厂商。

风险提示：技术路线迭代与价格回调风险

技术路线迭代风险：HBM4到HBM5的过渡期，混键技术可能带来颠覆变化，传统技术路径的投资可能面临淘汰风险。

价格回调风险：随着HBM产能的逐步释放，以及三星和SK海力士的激烈竞争，HBM价格在2026年下半年或2027年可能面临双位数回调的风险 。

05结语

存储不再是配角，而是AI时代的力底座。HBM4竞赛是存储巨头们争夺AI时代话语权的终战役，而国产替代才是存储产业真正的核心主线。

给企业决策者的条核心建议——在确保HBM4供应的同时，将供应链布局向国产HBM封测和设备厂商倾斜，以实现长期成本控制和供应链安全。

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你认为三星和SK海力士，谁能终拿下英伟达70的HBM4订单？说说你的理由。

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